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研究用総合機器

特徴

  • NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM

仕様

  • 入数:1リール(3000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:10 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:18.3 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:2.5V
  • 最低ゲートしきい値電圧:1.2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:HSMT
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET, スイッチングMOSFET
  • 最大パワー消費:2 W
  • 標準ターンオフ遅延時間:23.1 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:177-7959
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